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Si7196DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.05
I D = 12 A
0.04
10
0.03
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.02
0.01
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
4
6
8
10
0.4
0.2
0.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
150
120
90
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.2
60
- 0.4
- 0.6
- 0.8
30
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
10 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 70336
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
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